激光退火設(shè)備模型
半導(dǎo)體器件生產(chǎn)制造過(guò)程中，為了在硅晶圓中形成特定的摻雜，在制造過(guò)程中需進(jìn)行多道離子注入工藝。在離子輸入過(guò)程中，雜質(zhì)離子的轟擊會(huì)對(duì)晶圓中的硅原子造成一定程度的晶格損傷，導(dǎo)致雜質(zhì)離子不能位于正確的晶格位置而不具備應(yīng)有的電活性，因此需要對(duì)晶圓進(jìn)行加熱處理以修復(fù)晶格并激活雜質(zhì)離子電活性，這種加熱處理工藝即為退火。
激光退火設(shè)備模型
激光退火設(shè)備模型
激光退火設(shè)備是指采用高能激光束進(jìn)行自動(dòng)化退火工藝加工的專(zhuān)用設(shè)備，其主要功能是將特定形狀且能量分布均勻的束斑投射到半導(dǎo)體晶圓上，并對(duì)晶圓進(jìn)行退火掃描和加工。相較于傳統(tǒng)的爐管退火及快速退火技術(shù)，激光退火由于具備瞬時(shí)溫度高、作用時(shí)間短、熱預(yù)算低、可選區(qū)加工等優(yōu)勢(shì)，能夠更好地滿(mǎn)足薄片加工和高效激活的工藝要求。目前，激光退火設(shè)備已廣泛應(yīng)用于尖端邏輯芯片制造領(lǐng)域。
